GR-75-9氣氛保護(hù)回轉(zhuǎn)窯

中試用-氣氛保護(hù)回轉(zhuǎn)窯GR-75-9

主要技術(shù)參數(shù)：

1.高溫度：1050℃

2.使用溫度：950℃

3.使用氣氛：氮?dú)?空氣

4.爐管尺寸φ310x3100（mm）

5.加熱方式：鎳鉻合金絲加熱

6.保溫材料：陶瓷纖維；

7.溫區(qū)數(shù)：3區(qū)

8. 爐管材料：SUS310S耐熱不銹鋼

9.爐管轉(zhuǎn)速：1~6 r/min無級變頻調(diào)速，由轉(zhuǎn)動(dòng)電機(jī)、減速機(jī)、齒輪傳動(dòng)裝置、鏈條傳動(dòng)裝置等構(gòu)成，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)和手動(dòng)轉(zhuǎn)換；

10.表面溫升溫：≤室溫+35℃

11.大功率：75KW

12.保溫功率：45KW

13.報(bào)警系統(tǒng): 整窯設(shè)有過載、爐管停轉(zhuǎn)、超溫等報(bào)警保護(hù)功能；

14. 控制方式：PLC和觸模屏

GR-75-9氣氛保護(hù)回轉(zhuǎn)窯適用于電子材料，如鈦酸鋇、碳酸鍶、碳酸壩、碳酸鈣、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化鋁，石墨類和鈷酸鋰、錳酸鋰、鎳酸鋰、磷酸鐵鋰、三元材料鋰電池粉體材料等生產(chǎn)用設(shè)備；

磁性材料：NFC、鎳梓鐵氧體、錳鋅鐵氧體等生產(chǎn)用設(shè)備；

KY法晶體生長爐

30kg級晶體生長爐

詳細(xì)描述：

凱氏長晶法(Kyropoulos method),簡稱KY法,又稱之為泡生法.其原理與柴氏拉晶法(Czochralskimethod)類似，先將原料加熱至熔點(diǎn)后熔化形成熔湯，再以單晶之晶種(SeedCrystal，又稱籽晶棒)接觸到熔湯表面，在晶種與熔湯的固液界面上開始生長和晶種相同晶體結(jié)構(gòu)的單晶，晶種以極緩慢的速度往上拉升，但在晶種往上拉晶一段時(shí)間以形成晶頸，待熔湯與晶種界面的凝固速率穩(wěn)定后，晶種便不再拉升，也沒有作旋轉(zhuǎn)，僅以控制冷卻速率方式來使單晶從上方逐漸往下凝固，后凝固成一整個(gè)單晶晶碇. 我司可提供30kg級、70kg級設(shè)備。

ZWJ高溫晶體生長爐

詳細(xì)描述：

此項(xiàng)目為高溫氧化物晶體生長設(shè)備，為國內(nèi)用戶定制。爐體鐘罩式升降，放置坩堝和維護(hù)熱場。

底部坩堝升降，籽晶在坩堝底部，坩堝桿帶水冷。

采用分子泵或油擴(kuò)散泵，控制系統(tǒng)帶有PLC和摸觸屏。

ZTD-800B單晶硅爐

ZTD-900B單晶硅爐

ZTD-950B單晶硅爐

設(shè)備用途:

本設(shè)備為生產(chǎn)太陽能電池用的單晶爐，坩堝尺寸18-22英寸，產(chǎn)量從60-130Kg，單晶硅棒直徑6.5-8英寸，設(shè)備高度為6.1-6.7米，主要可生產(chǎn)主流8英寸單晶硅棒。

本公司可提供生長工藝，保證生長出合格的單晶硅。設(shè)有樣機(jī)，歡迎來人參觀考察。

技術(shù)參數(shù):

ZW-50-20鎢網(wǎng)燒結(jié)爐

主要技術(shù)參數(shù)：

1.額定功率：50KW

2.額定電壓：380V

3.Max.溫度：2000℃

4.工作區(qū)尺寸：Φ140*200

5.極限真空：8*10-4Pa

6.壓升率：<3Pa/小時(shí)

7.保護(hù)氣氛：氫氣

8.加熱區(qū)：一區(qū)

ZG-80真空熔煉爐

80kg真空熔煉爐ZG-80

主要技術(shù)參數(shù)：

1.額定功率：160KW

2.額定電壓：380V

3.Max.溫度：1700℃

4.冷態(tài)極限真空：5X10-3Pa

5.保護(hù)氣氛：Ar

ZT-50-16Y真空熱壓爐

1.額定功率：50KW

2.額定溫度：1600℃

3.工作區(qū)尺寸：?250×200

4.極限真空度：5X10-2Pa

5.Max.壓力：35噸

6.大位移：雙向各100mm

7.加壓方式：雙向

8.充氣壓力：0.015MPa

SPS-60T-30-Ⅲ燒結(jié)爐

主要技術(shù)參數(shù)：

型號(hào)：SPS-60T-30-Ⅲ

1.額定功率：300KW

2.額定電壓：380V

3.Max.溫度：  2300℃

4.輸出電流：30000A

5.輸出電壓：10V

6.極限真空：5X10-2Pa

7.保護(hù)氣氛：Ar

8.Max.壓力：60T